# كيف تقطع الخلايا الشمسية متعددة القطع بشكل أفضل؟ > دراسة Nano Energy من جامعة سوتشو تقلب 20 عامًا من الحكمة الصناعية: تحت القطع منخفض الضرر، جانب الوصلة p-n يجمع فعليًا ![كيف تقطع الخلايا الشمسية متعددة القطع بشكل أفضل؟](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260805/15ce62ff44f3df3b9754e60099c852f1.webp) - ** 2026-08-05 - ** 178 مشاهدة - ** [المدونة](./Blog.html) ## كيف تقطع الخلايا الشمسية متعددة القطع بشكل أفضل؟ **إجابة سريعة:** يؤدي تقطيع خلية كاملة إلى أنصاف أو أثلاث أو قطع أصغر إلى زيادة قدرة الوحدة عن طريق تقليل التيار الذي يحمله كل شريط، مما يقلل الفقد المقاومي في الشريط. تتناقص الفائدة مع صغر الشريط، وتزداد التكلفة الميكانيكية. تهيمن ثلاثة أساليب. الحز بالليزر متبوعًا بالكسر الميكانيكي هو الأسرع ويُدخل أقل حمل حراري، لكن جودة حافة الكسر تعتمد على عمق الحز. الفصل الكامل بالليزر يفصل الخلية بالشعاع وحده ويعطي حافة أنظف بسرعة أقل. يجمع الفصل الحراري بالليزر بين ليزر وخطوة تبريد بحيث ينتشر الشق على مسار مُتحكَّم فيه. تمتد الأبعاد ذات الصلة من طول موجة ليزر 532 nm عبر أحجام ميزات قريبة من 1 µm و20 µm إلى 100 µm، وجهد الشريط منخفض — حوالي 0.55 V — لذا تأتي المكاسب من المقاومة، لا من الجهد. تصنيع وحدات PV · بقلم جيري، Ooitech ## مقدمة TOPCon, SHJ و BC" title="كيف تقطع الخلايا الشمسية متعددة الأجزاء بشكل أفضل؟ الحقيقة غير البديهية حول فقدان الحواف في خلايا n-type TOPCon و SHJ و BC"/> سعيًا وراء طاقة أعلى للوحدة، غالبًا ما يقوم المهندسون بتقطيع خلية كبيرة إلى 1/2 أو 1/3 أو حتى أكثر من "خلايا صغيرة"، ثم يعيدون توصيلها على التوالي والتوازي داخل الوحدة. الهدف هو تقليل التيار وتقليل فقدان الطاقة المقاومة. لكن كل قطع يترك "جرحًا" غير معالج على طول حافة الخلية. تتحول هذه الجروح إلى مصائد للحاملات، وتؤثر على جهد الدائرة المفتوحة (Voc) وعامل التعبئة (FF). كلما كانت الخلية الفرعية أصغر، زاد تأثير فقدان إعادة التركيب عند الحواف. الطريقة الأكثر شيوعًا في الصناعة اليوم، "الحز بالليزر + الكسر الميكانيكي" (L&C)، تترك ضررًا حراريًا خطيرًا على طول القطع. ولسنوات، اتفق المجال على شيء واحد: الحز على جانب تقاطع p-n يسبب أكبر ضرر، لذا "جانب تقاطع p-n هو العائق الرئيسي لفقدان الحواف". هذا الاعتقاد أدى إلى الحيلة القياسية "الحز من جانب n-n+ لحماية تقاطع p-n". لكن هل يعكس هذا "الفطرة السليمة" المقبول على نطاق واسع السلوك الكهربائي الجوهري لتقاطع p-n؟ أم أنه مجرد نتيجة للحرارة الناتجة عن الليزر؟ ## النتيجة الأساسية: سلوك كهربائي جوهري يكسر الإجماع نشر فريق بحثي في معهد FUNSOM بجامعة سوتشو عملًا في Nano Energy باستخدام طريقة قطع جديدة منخفضة الضرر يسمونها "الكسر الدوراني بزاوية 45 درجة". إنها تتجنب بذكاء الضرر الحراري الناتج عن الليزر وتستكشف السلوك الكهربائي الجوهري الحقيقي لحافة تقاطع p-n. كانت النتيجة مفاجئة للصناعة: تحت القطع منخفض الضرر، تكون كفاءة جمع الحاملات عند الحواف على جانب تقاطع p-n أعلى فعليًا من جانب n-n+. بعبارة بسيطة: الحز من جانب تقاطع p-n هو الاستراتيجية الصناعية الأفضل. هذا يقلب الممارسة المقبولة على مدى عشرين عامًا رأسًا على عقب. ## كيف تفتح حافة الخلية دون إيذائها لدراسة "السلوك الكهربائي الجوهري لوصلة p-n"، عليك أولاً حل مشكلة صعبة. الطريقة التقليدية [القطع بالليزر](https://www.ooitech.com/SC-20P-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-BC-Cell-Processing-Equipment.html) تترك طبقة معاد صهرها ومعاد تصلبها، بالإضافة إلى شقوق دقيقة وكومة من التلف الحراري على طول الحافة، وكل ذلك يعكر أي ملاحظة لوصلة p-n وسلوك إعادة التركيب السطحي. سلك الفريق طريقاً مختلفاً، باستخدام طبيعة الانشقاق متباين الخواص لبلورات السيليكون لاقتراح طريقة "الانشقاق الدوراني بزاوية 45°": الخطوة الأولى: قم بتدوير الرقاقة بزاوية 45 درجة في المستوى. الخطوة الثانية: قم بخدش خط ضحل مسبقًا على المستوى (100) باستخدام قلم ألماس. الخطوة الثالثة: انشطر على طول عائلة المستوى {110} للحصول على مقطع عرضي مسطح ذريًا وخالٍ من الضرر الحراري. المقطع العرضي للحافة الذي تم الحصول عليه بهذه الطريقة يحافظ على سلامته الهيكلية والكهربائية. بالاقتران مع تقنية تصوير الجهد الضوئي بدقة ميكرومترية، يمكنك مسح السلوك الكهربائي بالقرب من الحافة نقطة بنقطة، دون الإضرار بالوصلة p-n. استخدمت التجربة ليزرًا بطول موجة 532 نانومتر (عمق الاختراق حوالي 1.3 ميكرومتر)، ووصلت إلى دقة مكانية تبلغ حوالي 1 ميكرومتر تحت عدسة موضوعية 50×، واضحة بما يكفي لالتقاط سلوك اضمحلال الجهد الضوئي ضمن عشرات الميكرومترات من الحافة. ## النتائج التجريبية الشكل 1. تأثير القطع على سلامة الوصلة p-n (أ، ب)، مخطط طريقة الانشطار الدوراني بزاوية 45 درجة (ج، د)، ومخططات لهياكل الخلايا الثلاث عالية الكفاءة (هـ-ز). يوضح الشكل 1أ عملية القطع بالليزر والكسر (L&C) التقليدية على جانب الوصلة p-n: أولاً، يزيل الليزر أخدودًا على سطح الخلية (علامة الليزر)، ثم تكسر القوة الميكانيكية الخلية. الشكل 1ب هو المقطع العرضي SEM للحافة بعد قطع L&C. يمكنك أن ترى بوضوح أن المقطع ينقسم إلى منطقتين. الجزء العلوي هو "منطقة ablation بالليزر"، ويظهر شكلًا واضحًا لإعادة الصهر وإعادة التصلب. الجزء السفلي هو "منطقة الفصل بالإجهاد"، ممزقًا بقوة ميكانيكية، تاركًا الكثير من الشقوق الدقيقة غير المنتظمة وبرك الذوبان. هذا الضرر الحراري هو بالضبط ما يسبب ارتفاع تيار التسرب وانخفاض أداء الخلية. جدير بالملاحظة: عندما يخدش الليزر على جانب الوصلة p-n، يتم تدمير الوصلة p-n نفسها تمامًا بالحرارة. لذا فإن "الظاهرة" التي لاحظتها الصناعة دائمًا، وهي أن "جانب الوصلة p-n هو عنق الزجاجة لفقدان الحافة"، هي في الواقع نتيجة للضرر الحراري. يوضح الشكل 1c طريقة القطع الدوراني بزاوية 45° المقترحة هنا: قم بتدوير الرقاقة بزاوية 45° حول المحور داخل المستوى، ثم خدش المستوى (100) باستخدام قلم ألماس، ثم قم بالتمزيق على طول مستوى الانشطار {110}. الشكل 1d هو صورة المجهر الإلكتروني الماسح للحافة المقطوعة، مقياس الشريط 20 ميكرومتر. المقطع العرضي مسطح ونظيف للغاية، ولا توجد أي آثار انصهار على الإطلاق، مما يحافظ تمامًا على البنية والسلامة الكهربائية للوصلة p-n. هذا هو المفتاح لدراسة "السلوك الجوهري". ينظر هذا العمل في ثلاث تقنيات رئيسية للخلايا عالية الكفاءة من النوع n: TOPCon وSHJ وTBC. تشترك في سمة مشتركة. على ركيزة سيليكون بلورية من النوع n، تحمل كل منها وصلة p-n (متجانسة أو غير متجانسة) ووصلة n-n+ عالية-منخفضة. لذا فإن دراسة سلوك حوافها يعطي توجيهًا مباشرًا للإنتاج الصناعي الحقيقي. الشكل 2. تحليل الجهد الضوئي لحافة الوجه الأمامي لخلايا TOPCon وSHJ وTBC. يوضح الشكل 2a مسح ليزر بطول موجة 532 نانومتر من حافة السطح الأمامي للخلية إلى الداخل، بالتعاون مع منصة دقة XY ومضخم كهربائي لتسجيل إشارة الجهد الضوئي في الوقت الفعلي، وأخيرًا بناء خريطة جهد ضوئي ثنائية الأبعاد. الشكل 2b هو صورة الجهد الضوئي للوجه الأمامي لـ TOPCon وSHJ وTBC (من اليسار إلى اليمين). اللون الأكثر سطوعًا يعني جهدًا ضوئيًا أعلى. تُظهر الخلايا الثلاث جميعها "شريط تدرج" واضحًا ضمن ~100 ميكرومتر من الحافة، مع جهد ضوئي أقل كلما اقتربنا من الحافة. هذا هو الدليل المباشر على فقدان إعادة التركيب عند الحافة. بمقارنة الثلاثة: TOPCon لديه أعلى جهد ضوئي (0.40–0.55 فولت) ويصل إلى التشبع الأسرع. TBC لديه الأدنى (0.36–0.49 فولت) ويتلاشى الأبطأ، مما يعني أن إعادة التركيب عند حافته هي الأسوأ. هذه النتيجة تتعارض مع الفكرة الشائعة بأن "الوصلة p-n هي عنق الزجاجة"، لأن الوجه الأمامي (الوجه المواجه للضوء) عادة ما يكون بالضبط حيث توجد الوصلة p-n. الشكل 2c يطبع ملف الجهد الضوئي المستخرج على طول الخط الأسود المتقطع في الشكل 2b. تُظهر المنحنيات الثلاثة "منخفضة عند الحافة، عالية على الهضبة"، لكن سرعة التشبع (التي تعكس طول إعادة التركيب عند الحافة) تختلف بوضوح: - TOPCon: أقصر منطقة تدهور، تقترب من التشبع خلال حوالي 100 ميكرومتر، أصغر فقدان عند الحافة. - SHJ: منطقة تدهور متوسطة، تقترب من التشبع عند ~200 ميكرومتر. - TBC: أبطأ استرداد، يمتد حتى ~500 ميكرومتر قبل التشبع الكامل، أسوأ فقدان عند الحافة. الشكل 2d يشرح الفيزياء وراء الاختلافات. ينتهي الأمر بالثقب المولد ضوئيًا إلى القيام بأحد أمرين: يتم جمعه بواسطة قطب كهربائي، أو ينجرف إلى الحافة ويعيد التركيب. ### TOPCon: باعث في الأمام، مسار جمع ثقوب قصير للغاية السطح الأمامي هو باعث p+. تحتاج الثقوب فقط إلى عبور الباعث الرقيق جدًا ليتم جمعها بواسطة القطب الأمامي، لذا فإن معظم الثقوب "لا تحصل أبدًا على الفرصة" للوصول إلى الحافة. في الوقت نفسه، يظل المجال القوي الذي يشكله p+ emitter / SiOx / n-poly-Si فعالًا عند الحافة أيضًا، مما يفصل حاملات الشحنة بسرعة. هذا هو السبب الجذري وراء امتلاك TOPCon لأصغر خسارة عند الحافة. ### SHJ: الأمام يجمع الإلكترونات، والثقوب تسلك الطريق الطويل السطح الأمامي لـ SHJ هو n-a-Si:H، والذي يجمع الإلكترونات. يجب أن تنتشر الثقوب طوال الطريق إلى الخلف p-a-Si:H قبل أن يتم جمعها، وهو مسار طويل جدًا. أضف طبقة TCO عالية التوصيل التي تعمل مثل "طريق سريع"، وتحمل الكثير من الثقوب جانبيًا نحو الحافة، ويزداد إعادة التركيب عند الحافة بشكل ملحوظ. ### TBC: جميع الأقطاب في الخلف، إزالة كاملة في TBC، كل قطب كهربائي يقع في الخلف. يجب أن تنتقل حاملات الشحنة المولدة عند السطح الأمامي جانبيًا عبر الرقاقة بأكملها ليتم جمعها. والأسوأ من ذلك، أن طبقة التخميل الأمامية Al2O3 تحمل الكثير من الشحنة السالبة الثابتة، مما يحفز طبقة تراكم الثقوب على سطح السيليكون ويشكل "قناة توصيل للثقوب" تدفع الثقوب بقوة أكبر نحو الحافة. ملاحظة سريعة: سلوك الجهد الضوئي الأمامي يتحدد أساسًا بشيئين: "مسافة جمع حاملات الشحنة" و"ما إذا كانت هناك قناة نقل جانبية موجودة"، ولا علاقة له باتجاه تقاطع p-n نفسه. الشكل 3. تحليل الجهد الضوئي عند الحافة الخلفية لخلايا TOPCon وSHJ وTBC. الشكل 3a يوضح المسح بالليزر من الحافة الخلفية. الشكل 3b هو خريطة الجهد الضوئي ثنائية الأبعاد المقابلة. مقارنة بالشكل 2b، تُظهر الخلايا الثلاث جهدًا ضوئيًا خلفيًا أقل من الأمامي (لأن السطح الأمامي عادةً ما يكون لديه تصميم أفضل لمكافحة الانعكاس واستخدام أعلى للضوء). يكشف الشكل 3c شيئًا مثيرًا للاهتمام: "الفائز" عند الحافة الخلفية يصبح TBC. على الرغم من أن SHJ لديه أيضًا تقاطع p-n في الخلف، إلا أن جهده الضوئي عند الحافة أقل فعليًا من TOPCon، مما يظهر أيضًا أن "موضع تقاطع p-n" ليس العامل الوحيد الذي يحدد خسارة الحافة. يوضح الشكل 3d آلية نقل حاملات الشحنة الأقلية في الخلف. الخلف خاص: يحمل n-poly-Si الخلفي تركيزًا عاليًا من الإلكترونات، مما يشكل بيئة مجال قوي تثبط الثقوب ولكنها تعزز جمع الإلكترونات. ### الجانب الخلفي من TOPCon: "الممر السريع" للثقوب مكبوت التركيز العالي للإلكترونات في الطبقة الخلفية n-poly-Si يثبط نقل الثقوب. يجب أن تعبر الثقوب كامل ركيزة السيليكون البلوري من النوع n للوصول إلى الباعث الأمامي p+ قبل أن يتم جمعها. هذا "النقل طويل المسافة" يجعل الجهد الضوئي الخلفي أقل عمومًا، ولكنه أيضًا يقلل من عدد الثقوب التي تصل إلى الحافة. ### الجانب الخلفي لخلية SHJ: الوصلة غير المتجانسة قوية، لكن TCO سيف ذو حدين وصلة SHJ غير المتجانسة من n-type c-Si / p-a-Si:H توفر بالفعل فصلًا أقوى لحاملات الشحنة من TOPCon، لكن TCO لديها مقاومة جانبية منخفضة و"تقصر" جزءًا كبيرًا من الثقوب إلى الحافة. النتيجة: قدرة الفصل القوية لا تعني خسارة حافة صغيرة. ### الجانب الخلفي لخلية TBC: جامع الثقوب الانتقائي HSC موجود مباشرة في الخلف، ميزة الملعب الخاص جامع الثقوب الانتقائي HSC في الجانب الخلفي لخلية TBC يواجه الثقوب المولدة ضوئيًا مباشرة. يتم جمع الحاملات مباشرة في الخلف، لذا يقل تدفقها إلى الحافة بشكل كبير، والجهد الضوئي الخلفي يصل إلى التشبع بأسرع وقت. ملاحظة سريعة: سلوك الجهد الضوئي الخلفي يُظهر اتجاهًا "معكوسًا" مقارنة بالأمام. TBC هي الأسوأ في الأمام ولكنها الأفضل في الخلف، مما يُظهر أن "أي جانب يواجه الضوء" أكثر أهمية من "أي جانب هو الوصلة p-n". الشكل 4. نموذج توزيع الجهد الضوئي المقطعي لخلايا TOPCon و SHJ. إذا نظرت الأشكال 2 و3 إلى الحافة "من الجانب"، فإن الشكل 4 يقطعها "بشكل عرضي". يمسح الليزر مباشرة على المقطع العرضي، لذا ترى السلوك الكهربائي الكامل من تقاطع p-n إلى n-n+ في لقطة واحدة. هذا هو الجزء الأكثر أصالة في الدراسة. الشكل 4a هو خريطة الجهد الضوئي للمقطع العرضي لخلية TOPCon، من اليسار إلى اليمين الجانب الأمامي (باعث p+ / تقاطع p-n) والجانب الخلفي (بولي سيليكون من النوع n / تقاطع n-n+). يمكنك رؤية الجانب الأيسر (تقاطع p-n) أكثر سطوعًا بشكل عام، والجانب الأيمن (n-n+) أغمق. المنحنى المستخرج في الشكل 4b واضح جدًا: من جانب تقاطع p-n إلى جانب n-n+، ينخفض الجهد الضوئي بشكل رتيب، مع منطقة الاضمحلال الكاملة حوالي 100 ميكرومتر. هذه النتيجة ترفض بشكل قاطع الرأي التقليدي القائل بأن "تقاطع p-n هو عنق الزجاجة لفقدان الحافة"، لأنه في ظل ظروف الضرر المنخفض، يكون جانب تقاطع p-n بدلاً من ذلك منطقة الجهد الضوئي العالي. يقدم الشكل 4c السبب الفيزيائي: على جانب تقاطع p-n (باعث p+)، تسافر حاملات الأقلية (الثقوب) مسافة قصيرة فقط ليتم جمعها، بينما على جانب n-n+ (منطقة بولي سيليكون من النوع n)، يجب أن تعبر الثقوب كامل السيليكون البلوري من النوع n للوصول إلى باعث p+، وهو مسار طويل مع احتمال إعادة تركيب عالي، لذا يكون الفقد أكبر. تُظهر الأشكال 4d–f نفس الاتجاه تمامًا على خلايا SHJ: من تقاطع p-n الخلفي (p-a-Si:H / n-c-Si) إلى تقاطع n-n+ الأمامي (i/n-a-Si:H / n-c-Si)، ينخفض الجهد الضوئي مرة أخرى بشكل رتيب. هذا الانتظام الذي يستمر عبر هياكل الخلايا المختلفة هو أحد الحجج الأساسية للدراسة. لوصف هذا كميًا، اشتق الفريق نموذج انتشار أحادي البعد لحاملات الأقلية. الشكل 4g هو مخطط النموذج، يظهر المنحنى (البرتقالي) يتناقص بشكل رتيب من جانب تقاطع p-n (التماس الانتقائي للثقوب، HSC) نحو جانب التماس الانتقائي للإلكترونات (ESC). يقارن الشكل 4h أيضًا سلوك الحاملات على جانبي HSC وESC: - جانب HSC: يتم جمع حاملات الأقلية (الثقوب) على مسافة قصيرة، مع احتمال إعادة تركيب منخفض. - جانب ESC: يجب أن تنتشر حاملات الأقلية لمسافة طويلة للوصول إلى HSC، مع إعادة تركيب كثيفة على طول الطريق. - آلية فصل الحاملات في تقاطع p-n لها الفائدة المزدوجة للتماس المشوب بشدة بالإضافة إلى التماس الممرر، وهي أكثر كفاءة من تقاطع عالي-منخفض بسيط (n-n+). ملاحظة سريعة: نموذج الجهد الضوئي للمقطع العرضي يؤكد كميًا أن "الأداء الكهربائي لجانب تقاطع p-n يتفوق على جانب n-n+"، ويقترح "طول انتشار حاملات الأقلية L" كمقياس جديد لتقييم فقدان الحافة. الشكل 5. تحليل الجهد الضوئي للمقطع العرضي لخلية TOPCon مصنوعة بطريقة الفصل الحراري بالليزر الصناعي (TLS). للتحقق مما إذا كانت النتيجة المستخلصة من طريقة القطع بزاوية 45 درجة تنطبق على القطع الصناعي، استخدم الفريق طريقة "الفصل الحراري بالليزر" (TLS) (الشكل 5أ) — أولاً يقوم الليزر بمعالجة مسبقة لجانب الوصلة p-n (الأخدود المسبق في الشكل)، ثم يساعد ماء التبريد في الفصل. TLS هي إحدى تقنيات القطع منخفضة الضرر المعترف بها اليوم. الشكل 5ب هو صورة الجهد الضوئي المقطعية لخلية TOPCon بعد القطع بـ TLS: الجانب الأيسر (الوصلة p-n) أكثر سطوعًا بوضوح من الجانب الأيمن (n-n+). المنحنى الكمي في الشكل 5ج يظهر أنه من الوصلة p-n إلى الجانب الخلفي، لا يزال الجهد الضوئي ينخفض بشكل رتيب، بما يتوافق تمامًا مع نتيجة القطع بزاوية 45 درجة. التحقق الرئيسي: حتى مع طريقة TLS الصناعية (القطع مباشرة من جانب الوصلة p-n)، لا يزال الجهد الضوئي يُظهر اتجاه "الوصلة p-n عالية، n-n+ منخفضة". هذا يشير إلى أنه تحت القطع منخفض الضرر، فإن "الوصلة p-n" ليست عنق زجاجة على الإطلاق، بل هي مكان الميزة. الخبرة الصناعية السابقة بأن "جانب الوصلة p-n يعمل بشكل أفضل" في قطع TLS تحصل أخيرًا على تأكيد من التجربة والنظرية معًا. الشكل 6. تحليل الجهد الضوئي المقطعي لخلايا TBC وTHBC، بالإضافة إلى مخطط استراتيجية القطع منخفض الضرر للوصلة p-n. الشكلان 6أ و6ب هما صور الجهد الضوئي المقطعية لخلايا TBC وTHBC. TBC لديها أعلى جهد ضوئي، 0.39 فولت، وTHBC أقل قليلاً (0.21 فولت)، لكن كلاهما يُظهر التوزيع المكاني الواضح "الوصلة p-n ساطعة، n-n+ داكنة". المنحنيات المستخرجة في الشكلين 6ج و6د تتبع نفس نمط الشكل 4: انخفاض رتيب من الوصلة p-n نحو n-n+. جدير بالذكر الخاص هو الرسم الداخلي الصغير في الشكل 6ج: "التوزيع الاتجاهي" للجهد الضوئي لكل بنية خلية يُظهر نمط "كثيف في أعلى اليسار، متناثر في أسفل اليمين"، مما يعني أن الميزة الكهربائية لجانب الوصلة p-n عالمية عبر البنى والعمليات. الشكل 6هـ يشرح ما الذي يجعل الخلايا ذات الاتصال الخلفي مميزة: HSC يجمع الثقوب "بالقرب" في الخلف، وESC يجمع الإلكترونات "بالقرب" في الخلف. الحاملات الأقلية (الثقوب) المتولدة في منطقة الوصلة p-n تحتاج فقط مسافة قصيرة للوصول إلى HSC، لذا الخسارة صغيرة؛ الحاملات الأقلية في منطقة n-n+ يجب أن تقطع مسافة طويلة، لذا الخسارة أكبر. هذا النمط يطابق TOPCon وSHJ تمامًا. بناءً على كل هذه الأدلة، اقترح الفريق استراتيجية قطع جديدة كليًا في الشكل 6و: ### توصية صناعية في القطع منخفض الضرر (مثل TLS)، يجب أن تقطع من جانب الوصلة p-n. السبب: جانب الوصلة p-n لديه كفاءة فصل حاملات أعلى بالإضافة إلى مسار نقل أقصر لحاملات الأقلية. حتى مع بعض الاضطرابات في العملية، يحافظ على أداء كهربائي جيد. هذه التوصية تقلب ممارسة الصناعة التي استمرت عشرين عامًا وهي "تجنب لمس الوصلة p-n". ## رؤية Ooitech بصراحة، هذا واحد من تلك النتائج التي تعيد كتابة عادة على مستوى الخط بهدوء بدلاً من مواصفة رئيسية. الخلاصة لأي شخص يدير خطًا من النوع n: اقرن وصفة القطع بالليزر مع فيزياء حاملات الخلية نفسها، ولا تركن خط القطع على جانب n-n+ بشكل أعمى فقط لأن هذه كانت القاعدة القديمة. الفصل منخفض الضرر (بأسلوب TLS) هو الممكن الحقيقي هنا، وضبط تلك العملية على آلة قطع الخلايا الشمسية بالليزر هو بالضبط حيث يكسب مصنعو الوحدات أو يخسرون Voc و FF الحقيقيين. نبني محطات القطع واللحام لدينا للحفاظ على ضرر الحواف منخفضًا عبر تنسيقات TOPCon و SHJ و BC، لذا فإن هذا النوع من الأبحاث يترجم مباشرة إلى الإنتاج. إذا كنت تريد أن ترى كيف تبدو هذه الخطوات على خط تشغيل، فإن قناة Ooitech على يوتيوب في [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) تستحق المتابعة. --- ##### الوسوم: ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### اطلب عرض سعر جميع التحميلات آمنة وسرية. ## نقدم خبرة يمكنك الوثوق بها خدمتنا معدات مباشرة من المصنع. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### مزايا فعالة من حيث التكلفة نقدم قيمة استثنائية، ونحقق أقصى النتائج مع تحسين الميزانيات للعملاء. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### فريقنا ذو الخبرة يتخصص محترفونا المهرة في الحلول المبتكرة والاستراتيجيات المخصصة. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### أكثر من 15 عامًا من الخبرة في الصناعة الخبرة العميقة تضمن نتائج موثوقة ومواكبة للاتجاهات ومثبتة للنجاح. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## ماذا يقول عملاؤنا عنا حولنا تشيد شهادات العملاء بفهمنا العميق لتحدياتهم، مما يؤدي إلى حلول مبتكرة وعائد استثمار قوي. التعاون طويل الأمد - بعضها لأكثر من عقد - يظهر ثقتهم ورضاهم. قصص نجاحهم تدفعنا إلى تجاوز التوقعات باستمرار. [اعرف المزيد **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) رجل ذو روح كبيرة. شكراً جزيلاً لزيارتك سيد وو. شكراً جزيلاً للخدمات المقدمة في تركيب المعدات وتدريب طلابي. أطيب شخص ومحترف في مجاله ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### معهد جيزاخ للفنون التطبيقية ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) شكرًا مرة أخرى جزيلًا على المساعدة الكبيرة جدًا في تحسين وإصلاح المصنع وأيضًا تعليم العمال كيفية استخدام الآلات ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### مارك BIPV الفلبين ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) شكرًا لدعم ooitech الاحترافي وخدمة ما بعد البيع في الوقت المحدد. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### ديارا من أفريقيا ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) بفضل شركة Ooitech لتوفير معدات الإنتاج الآلية بالكامل—كان تركيبكم وخدمة ما بعد البيع ممتازة. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### أمجد ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) شكرًا لـ Ooitech لتوفير معدات تجريبية عالية الملاءمة لخلايا BC الشمسية. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ## أحدث منتجاتنا ![آلة التجميع والتوصيل SAW-100A: ≤0.3% كسر](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774349342486074.webp) - [** راشيل](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) - [** 19522](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) ### آلة التجميع والتوصيل SAW-100A: ≤0.3% كسر آلة التجميع والتوصيل التلقائية المتكاملة Ooitech SAW-100A توفر تجميع سلاسل الخلايا عالية الكفاءة ولحام قضبان التوصيل الطرفية بكفاءة عالية ![محاكي شمسي OTMT-A: فئة A، عدم استقرار ≤±1%](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774513832212306.jpg) - [** ooitech](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html) - [** 580](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html) ### محاكي شمسي OTMT-A: فئة A، عدم استقرار ≤±1% جهاز اختبار الألواح الشمسية ومحاكي الشمس Ooitech OTMT-A هو نظام اختبار IV للوحدات الشمسية من فئة AAA يتميز بتقنية مصباح الزينون، ومتوافق مع IEC 60904-9 ![شريط PV والتدفق — شريط لحام منخفض الحرارة](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032717287347.webp) - [** راشيل](./Solar-Panel-Soldering-Ribbon-and-Flux-Essential-Components-for-PV-Module-Manufacturing.html) - [** 20898](./Solar-Panel-Soldering-Ribbon-and-Flux-Essential-Components-for-PV-Module-Manufacturing.html) ### شريط PV والتدفق — شريط لحام منخفض الحرارة شريط PV والتدفق لتوصيل الخلايا الشمسية: شريط لحام منخفض الحرارة من النحاس المطلي بالقصدير عالي النقاء، يدعم خطوط MBB والقطع النصفي. ![فيلم تغليف EVA: قوة تقشير تزيد عن 80 نيوتن/سم على الزجاج](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774518543829873.webp) - [** ooitech](./EVA-POE-EPE-Encapsulant-Film-for-Solar-Panel-Manufacturing-Complete-Technical-Guide.html) - [** 89014](./EVA-POE-EPE-Encapsulant-Film-for-Solar-Panel-Manufacturing-Complete-Technical-Guide.html) ### فيلم تغليف EVA: قوة تقشير تزيد عن 80 نيوتن/سم على الزجاج فيلم تغليف EVA لوحدات الطاقة الشمسية، بالإضافة إلى خيارات POE وEPE: مضاد لـ PID، مقاوم للأشعة فوق البنفسجية ومتوافق مع خطوط TOPCon وPERC، بالسماكة المطلوبة. ![روبوت تكديس خلايا السلسلة HS-PBR: 5 ثوانٍ/سلسلة، ±0.3mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774338062497258.webp) - [** راشيل](./robot-string-cell-layup-machine-hs-pbr-automated-solar-module-layup-system-ooitech.html) - [** 67424](./robot-string-cell-layup-machine-hs-pbr-automated-solar-module-layup-system-ooitech.html) ### روبوت تكديس خلايا السلسلة HS-PBR: 5 ثوانٍ/سلسلة، ±0.3mm آلة ترتيب الخلايا الشمسية الروبوتية HS-PBR من Ooitech توفر ترتيبًا آليًا عالي الدقة للخلايا الشمسية بدقة ±0.3 مم ووقت دورة ≤5 ثوانٍ لكل ![XJCM-13A+ جهاز اختبار IV للوح الشمسي: فئة A+، 25 ثانية](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506523267868.webp) - [** راشيل](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) - [** 67427](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) ### XJCM-13A+ جهاز اختبار IV للوح الشمسي: فئة A+، 25 ثانية جهاز اختبار IV XJCM-13A2615 – A+A+A+، 2600×1500 مم، نبضة 10–100 مللي ثانية لـ PERC وHJT وTOPCon وIBC. يلغي تأثير السعة. متوافق مع IEC 60904-9:2020.